Хагас дамжуулагчийн салбар Samsung Foundry Хвасон дахь үйлдвэртээ 3 нм чип үйлдвэрлэж эхэлснээ зарлалаа. FinFet технологийг ашигласан өмнөх үеийнхээс ялгаатай нь Солонгосын аварга компани одоо GAA (Gate-All-Around) транзисторын архитектурыг ашиглаж байгаа нь эрчим хүчний үр ашгийг эрс нэмэгдүүлдэг.
MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA архитектуртай 3нм чипүүд нь тэжээлийн хүчдэлийг бууруулснаар эрчим хүчний үр ашгийг нэмэгдүүлэх болно. Самсунг мөн өндөр хүчин чадалтай ухаалаг гар утасны чипсетүүдэд хагас дамжуулагч чипэнд наноплат транзистор ашигладаг.
Фото зургийн цомог
Нано утастай технологитой харьцуулахад илүү өргөн суваг бүхий нано хавтангууд нь илүү өндөр гүйцэтгэлтэй, илүү үр ашигтай байдаг. Нано хавтангийн өргөнийг тохируулснаар Samsung-ийн үйлчлүүлэгчид өөрсдийн хэрэгцээнд нийцүүлэн гүйцэтгэл болон эрчим хүчний хэрэглээг тохируулах боломжтой.
Та сонирхож магадгүй юм
5 нм чиптэй харьцуулахад шинэ нь 23% илүү гүйцэтгэлтэй, 45% бага эрчим хүч зарцуулдаг, 16% бага талбайтай. Тэдний 2-р үе нь 30% илүү сайн гүйцэтгэл, 50% илүү үр ашигтай, 35% бага талбайтай байх ёстой.
“Бид шинэ үеийн технологийг үйлдвэрлэлд нэвтрүүлэхэд манлайллаа харуулсаар байгаа тул Самсунг хурдацтай хөгжиж байна. Бид энэ манлайллыг MBCFETTM архитектуртай анхны 3 нм процессоор үргэлжлүүлэхийг зорьж байна. Бид өрсөлдөх чадвартай технологийн хөгжилд идэвхтэй шинийг санаачилж, технологийн хөгжилд хүрэх явцыг хурдасгахад туслах үйл явцыг бий болгох болно." гэж Самсунг компанийн хагас дамжуулагчийн салбарын тэргүүн Сиён Чой хэлэв.
